casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTA113ZK,115
codice articolo del costruttore | PDTA113ZK,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PDTA113ZK,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDTA113ZK,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT3; MPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA113ZK,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTA113ZK,115-FT |
BCR 119 E6433
Infineon Technologies
BCR 133 B6327
Infineon Technologies
BCR 135 B6327
Infineon Technologies
BCR 148 B6327
Infineon Technologies
BCR 158 B6327
Infineon Technologies
BCR 162 B6327
Infineon Technologies
BCR 183 B6327
Infineon Technologies
BCR 192 B6327
Infineon Technologies
BCR 503 B6327
Infineon Technologies
BCR 512 B6327
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
LCMXO2-640ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
10AX027E3F29I2SG
Intel
5SGXEB6R3F43I3L
Intel
10AX115U1F45E1SG
Intel
EPF8282ALC84-3
Intel
EP20K200EBC356-2N
Intel