casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMTS0D4N04CTXG
codice articolo del costruttore | NVMTS0D4N04CTXG |
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Numero di parte futuro | FT-NVMTS0D4N04CTXG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVMTS0D4N04CTXG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 79.8A (Ta), 558A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.45 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 251nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 16500pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFNW (8.3x8.4) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMTS0D4N04CTXG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMTS0D4N04CTXG-FT |
STL28N60DM2
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STL28N60M2
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STL3N65M2
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