casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5C468NLAFT3G
codice articolo del costruttore | NVMFS5C468NLAFT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5C468NLAFT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFS5C468NLAFT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta), 37A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.5W (Ta), 28W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C468NLAFT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5C468NLAFT3G-FT |
NVMFS5830NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5832NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5832NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5832NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5833NT1G
ON Semiconductor
NVMFS5833NT3G
ON Semiconductor
NVMFS5833NWFT1G
ON Semiconductor
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel