casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5830NLWFT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS5830NLWFT1G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NVMFS5830NLWFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5830NLWFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 113nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5880pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 158W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5830NLWFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5830NLWFT1G-FT |
NVMFS5A140PLZT3G
ON Semiconductor
NVMFS5A140PLZT1G
ON Semiconductor
NTMFS4108NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4108NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4119NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4119NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4120NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4120NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4121NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4121NT3G
ON Semiconductor
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel