casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5832NLWFT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS5832NLWFT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5832NLWFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5832NLWFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 127W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5832NLWFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5832NLWFT1G-FT |
NTMFS4108NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4119NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4119NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4120NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4120NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4121NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4121NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4122NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4122NT3G
ON Semiconductor
NTMFS4701NT1G
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel