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codice articolo del costruttore | NVMFS5C456NLWFT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5C456NLWFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5C456NLWFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 55W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C456NLWFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5C456NLWFT1G-FT |
NVMFS4C05NT3G
ON Semiconductor
NVMFS4C05NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5826NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5826NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5826NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5826NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLWFT3G
ON Semiconductor
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel