casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5826NLT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS5826NLT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5826NLT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5826NLT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 39W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5826NLT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5826NLT1G-FT |
NVMFS5A140PLZWFT3G
ON Semiconductor
NTMFS4H01NFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5A140PLZWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5A160PLZT1G
ON Semiconductor
NVMFS5A160PLZT3G
ON Semiconductor
NVMFS5A160PLZWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5A140PLZT3G
ON Semiconductor
NVMFS5A140PLZT1G
ON Semiconductor
NTMFS4108NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4108NT3G
ON Semiconductor
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.