casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5C456NLT1G
codice articolo del costruttore | NVMFS5C456NLT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5C456NLT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5C456NLT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 55W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C456NLT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5C456NLT1G-FT |
NVMFS4C03NT3G
ON Semiconductor
NVMFS4C03NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS4C05NT3G
ON Semiconductor
NVMFS4C05NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5826NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5826NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5826NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5826NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5830NLT3G
ON Semiconductor
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel