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ON Semiconductor NTP8G202NG

Name: NTP8G202NG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTP8G202NG
Availability: InStock
Rating: 4.9 (330 reviews)

Numero parte MFG: NTP8G202NG

quantità disponibile: 10070 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NTP8G202NG.pdf

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NTP8G202NG specificazioni

codice articolo del costruttore	NTP8G202NG
Numero di parte futuro	FT-NTP8G202NG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTP8G202NG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±18V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	65W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTP8G202NG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NTP8G202NG-FT

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