casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCH76N60N
codice articolo del costruttore | FCH76N60N |
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Numero di parte futuro | FT-FCH76N60N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SupreMOS™ |
FCH76N60N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 285nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12385pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 543W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH76N60N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCH76N60N-FT |
FQA12N60
ON Semiconductor
FQA12P20
ON Semiconductor
FQA13N50
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FQA13N50C
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FQA13N50CF_F109
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FQA13N80
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FQA16N50
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FQA17N40
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A40MX02-VQG80M
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EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
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EP4SGX530KF43C3
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A40MX04-3PLG44
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LFEC6E-5F256C
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EPF10K50SBC356-2
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EP20K60EFC324-1
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EP2S60F1020C5
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