casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCH070N60E
codice articolo del costruttore | FCH070N60E |
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Numero di parte futuro | FT-FCH070N60E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® II |
FCH070N60E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 166nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4925pF @ 380V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 481W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 Long Leads |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH070N60E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCH070N60E-FT |
FQA13N50
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FQA13N50C
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FQA13N50CF_F109
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XC3S2000-4FG456C
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