casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMFS4C08NT1G-001
codice articolo del costruttore | NTMFS4C08NT1G-001 |
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Numero di parte futuro | FT-NTMFS4C08NT1G-001 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS4C08NT1G-001 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 52A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1670pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 760mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4C08NT1G-001 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMFS4C08NT1G-001-FT |
NTMFS4C09NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C10NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C302NT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C55NT1G
ON Semiconductor
NTMFS5C410NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5C410NLTT1G
ON Semiconductor
NTMFS5C410NT1G
ON Semiconductor
NTMFS5C426NT1G
ON Semiconductor
NTMFS5C430NLT1G
ON Semiconductor
NTMFS5C430NLT3G
ON Semiconductor
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.