casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMFS4C024NT1G
codice articolo del costruttore | NTMFS4C024NT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMFS4C024NT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFS4C024NT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21.7A (Ta), 78A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1972pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.57W (Ta), 33W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4C024NT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMFS4C024NT1G-FT |
IAUC120N04S6L008ATMA1
Infineon Technologies
IAUC120N04S6N009ATMA1
Infineon Technologies
IAUS300N08S5N012ATMA1
Infineon Technologies
IPA60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R210CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R210CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R115CFD7AUMA1
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel