casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SQJ912AEP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJ912AEP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJ912AEP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ912AEP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 9.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1835pF @ 20V |
Potenza - Max | 48W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ912AEP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJ912AEP-T1_GE3-FT |
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