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ON Semiconductor NTMD6601NR2G

Numero parte MFG
NTMD6601NR2G
quantità disponibile
74550 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-NTMD6601NR2G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NTMD6601NR2G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Potenza - Max 600mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMD6601NR2G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NTMD6601NR2G-FT

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