casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NTJD5121NT1G
codice articolo del costruttore | NTJD5121NT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTJD5121NT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTJD5121NT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 295mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 26pF @ 20V |
Potenza - Max | 250mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTJD5121NT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTJD5121NT1G-FT |
QS5K2TR
Rohm Semiconductor
BSM180D12P3C007
Rohm Semiconductor
HS8K11TB
Rohm Semiconductor
EM6M2T2R
Rohm Semiconductor
EM6K34T2CR
Rohm Semiconductor
EM6K7T2R
Rohm Semiconductor
EM6K1T2R
Rohm Semiconductor
EM6M1T2R
Rohm Semiconductor
EM6K6T2R
Rohm Semiconductor
EM6J1T2R
Rohm Semiconductor
LCMXO2-7000HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-3BGG272I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C7N
Intel
5SGXMA5K1F35C1N
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel