casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NTJD5121NT1G
codice articolo del costruttore | NTJD5121NT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTJD5121NT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTJD5121NT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 295mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 26pF @ 20V |
Potenza - Max | 250mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTJD5121NT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTJD5121NT1G-FT |
QS5K2TR
Rohm Semiconductor
BSM180D12P3C007
Rohm Semiconductor
HS8K11TB
Rohm Semiconductor
EM6M2T2R
Rohm Semiconductor
EM6K34T2CR
Rohm Semiconductor
EM6K7T2R
Rohm Semiconductor
EM6K1T2R
Rohm Semiconductor
EM6M1T2R
Rohm Semiconductor
EM6K6T2R
Rohm Semiconductor
EM6J1T2R
Rohm Semiconductor
XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX75-L1FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FG256A
Microsemi Corporation
ICE40LM2K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX75CF23I7
Intel
EP2C50F484C8
Intel
EP1C12F256C7N
Intel
5SGXEA5N2F45I3N
Intel
XCKU5P-2SFVB784E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation