casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / VEC2616-TL-H-Z
codice articolo del costruttore | VEC2616-TL-H-Z |
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Numero di parte futuro | FT-VEC2616-TL-H-Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VEC2616-TL-H-Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A, 2.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 505pF @ 20V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-28FL/VEC8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VEC2616-TL-H-Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VEC2616-TL-H-Z-FT |
QS6J3TR
Rohm Semiconductor
QS6K21TR
Rohm Semiconductor
QS5K2TR
Rohm Semiconductor
BSM180D12P3C007
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HS8K11TB
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EM6M2T2R
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EM6K34T2CR
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EM6K7T2R
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EM6K1T2R
Rohm Semiconductor
EM6M1T2R
Rohm Semiconductor
XC7S100-1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256C
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LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8ES
Intel
5SGXMB6R2F40I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100I
Microsemi Corporation