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ON Semiconductor NTF3055-100T1G-IRH1

Name: NTF3055-100T1G-IRH1
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTF3055-100T1G-IRH1
Price: 0.463984 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (175 reviews)

Numero parte MFG: NTF3055-100T1G-IRH1

quantità disponibile: 80610 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.463984

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 NFET SOT223 60V 3A 0.100R

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NTF3055-100T1G-IRH1.pdf

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NTF3055-100T1G-IRH1 specificazioni

codice articolo del costruttore	NTF3055-100T1G-IRH1
Numero di parte futuro	FT-NTF3055-100T1G-IRH1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NTF3055-100T1G-IRH1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.3W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223 (TO-261)
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTF3055-100T1G-IRH1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NTF3055-100T1G-IRH1-FT

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