casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTD4815N-35G
codice articolo del costruttore | NTD4815N-35G |
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Numero di parte futuro | FT-NTD4815N-35G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTD4815N-35G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.9A (Ta), 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 11.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1nC @ 11.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD4815N-35G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTD4815N-35G-FT |
NTD20N06-001
ON Semiconductor
NTD20N06-1G
ON Semiconductor
NTD20N06L-001
ON Semiconductor
NTD20N06L-1G
ON Semiconductor
NTD20P06L-001
ON Semiconductor
NTD20P06L-1G
ON Semiconductor
NTD23N03R-001
ON Semiconductor
NTD23N03R-1G
ON Semiconductor
NTD24N06-001
ON Semiconductor
NTD24N06-1G
ON Semiconductor
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel