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ON Semiconductor NTD3817N-35G

Name: NTD3817N-35G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTD3817N-35G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (323 reviews)

Numero parte MFG: NTD3817N-35G

quantità disponibile: 13180 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NTD3817N-35G.pdf

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NTD3817N-35G specificazioni

codice articolo del costruttore	NTD3817N-35G
Numero di parte futuro	FT-NTD3817N-35G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NTD3817N-35G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	16V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	702pF @ 12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-PAK
Pacchetto / caso	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTD3817N-35G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NTD3817N-35G-FT

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