casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTD4860NT4G
codice articolo del costruttore | NTD4860NT4G |
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Numero di parte futuro | FT-NTD4860NT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTD4860NT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.4A (Ta), 65A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1308pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.28W (Ta), 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTD4860NT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTD4860NT4G-FT |
NDD01N60T4G
ON Semiconductor
NDD02N40T4G
ON Semiconductor
NDD03N40ZT4G
ON Semiconductor
NDD60N360U1T4G
ON Semiconductor
NDD60N550U1T4G
ON Semiconductor
NDD60N745U1T4G
ON Semiconductor
NDD60N900U1T4G
ON Semiconductor
NDDL01N60ZT4G
ON Semiconductor
NTD12N10G
ON Semiconductor
NTD12N10T4
ON Semiconductor
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel