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ON Semiconductor NDD60N550U1T4G

Name: NDD60N550U1T4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NDD60N550U1T4G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (302 reviews)

Numero parte MFG: NDD60N550U1T4G

quantità disponibile: 89000 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NDD60N550U1T4G.pdf

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NDD60N550U1T4G specificazioni

codice articolo del costruttore	NDD60N550U1T4G
Numero di parte futuro	FT-NDD60N550U1T4G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NDD60N550U1T4G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	94W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NDD60N550U1T4G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NDD60N550U1T4G-FT

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