casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NDD01N60T4G
codice articolo del costruttore | NDD01N60T4G |
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Numero di parte futuro | FT-NDD01N60T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDD01N60T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 46W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDD01N60T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDD01N60T4G-FT |
NVA4001NT1G
ON Semiconductor
3LN01S-K-TL-E
ON Semiconductor
3LN01S-TL-E
ON Semiconductor
3LN01SS-TL-H
ON Semiconductor
3LP01S-K-TL-E
ON Semiconductor
3LP01S-TL-E
ON Semiconductor
3LP01SS-TL-H
ON Semiconductor
5HN01S-TL-E
ON Semiconductor
5LN01S-TL-E
ON Semiconductor
5LP01S-TL-E
ON Semiconductor
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation