casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSVEMT1DXV6T5G
codice articolo del costruttore | NSVEMT1DXV6T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVEMT1DXV6T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVEMT1DXV6T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500pA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | 140MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVEMT1DXV6T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVEMT1DXV6T5G-FT |
UMZ8NTR
Rohm Semiconductor
US6T9TR
Rohm Semiconductor
UMY1NTR
Rohm Semiconductor
VT6X2T2R
Rohm Semiconductor
VT6Z1T2R
Rohm Semiconductor
VT6Z2T2R
Rohm Semiconductor
NP0A54700A
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NP0450100A
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NP0A45600A
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DMA504010R
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XC6SLX75-3FGG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ256B
Microsemi Corporation
5SGXEB5R1F40C1N
Intel
EP2AGX65DF25C6NES
Intel
5SEE9F45C4N
Intel
XC6VLX75T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2BG329I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35C1N
Intel