casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / VT6Z1T2R
codice articolo del costruttore | VT6Z1T2R |
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Numero di parte futuro | FT-VT6Z1T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VT6Z1T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 2V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 400MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD |
Pacchetto dispositivo fornitore | VMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VT6Z1T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VT6Z1T2R-FT |
ULN2003AIDRE4
Texas Instruments
ULN2004ADE4
Texas Instruments
ULN2004ADG4
Texas Instruments
ULN2004ADRE4
Texas Instruments
ULN2004ADRG4
Texas Instruments
ULN2004AIDR
Texas Instruments
ULN2003BDR
Texas Instruments
ULN2003V12DR
Texas Instruments
SN75469DE4
Texas Instruments
ULN2003ADRG3
Texas Instruments
LAE5UM-25F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EF672C1NGZ
Intel
EP2C5F256C7
Intel
EPF10K50EFC256-1
Intel
XC2VP30-6FF1152C
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQ160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1N
Intel