casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / VT6Z2T2R
codice articolo del costruttore | VT6Z2T2R |
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Numero di parte futuro | FT-VT6Z2T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VT6Z2T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 350MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD |
Pacchetto dispositivo fornitore | VMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VT6Z2T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VT6Z2T2R-FT |
ULN2004ADE4
Texas Instruments
ULN2004ADG4
Texas Instruments
ULN2004ADRE4
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ULN2004ADRG4
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ULN2004AIDR
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ULN2003BDR
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ULN2003V12DR
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SN75469DE4
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ULN2003ADRG3
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SN75468DRG4
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M2GL025-VFG400I
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ICE65L04F-LVQ100I
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