casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSS60600MZ4T3G
codice articolo del costruttore | NSS60600MZ4T3G |
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Numero di parte futuro | FT-NSS60600MZ4T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS60600MZ4T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 600mA, 6A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS60600MZ4T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS60600MZ4T3G-FT |
NSV2029M3T5G
ON Semiconductor
NSV2SC5658M3T5G
ON Semiconductor
NSVMMBT5551M3T5G
ON Semiconductor
NSVBC856BM3T5G
ON Semiconductor
NSV2SA2029M3T5G
ON Semiconductor
NSS40200UW6T1G
ON Semiconductor
MJD31C1G
ON Semiconductor
MJD42C1G
ON Semiconductor
MJD253-1G
ON Semiconductor
MJD112-1G
ON Semiconductor
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation