casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSS30100LT1G
codice articolo del costruttore | NSS30100LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSS30100LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS30100LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 310mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS30100LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS30100LT1G-FT |
MMBT3904LT1G
ON Semiconductor
MMBT4403LT1G
ON Semiconductor
BC846BLT3G
ON Semiconductor
MMBT4401LT1G
ON Semiconductor
BC846BLT1G
ON Semiconductor
MMBTA06LT1G
ON Semiconductor
MMBT3906LT1G
ON Semiconductor
BC847BLT1G
ON Semiconductor
MMBT2907ALT1G
ON Semiconductor
NSVBC850BLT1G
ON Semiconductor
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
A1020B-PL68I
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3LG
Intel
EP4SGX110FF35C4N
Intel