casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT2907ALT1G
codice articolo del costruttore | MMBT2907ALT1G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT2907ALT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT2907ALT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT2907ALT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT2907ALT1G-FT |
MJE15033
ON Semiconductor
MJE15034
ON Semiconductor
MJE15035
ON Semiconductor
MJE18002
ON Semiconductor
MJE18002G
ON Semiconductor
MJE18004
ON Semiconductor
MJE18004D2
ON Semiconductor
MJE18004D2G
ON Semiconductor
MJE18006
ON Semiconductor
MJE18006G
ON Semiconductor
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel