casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT2907ALT1G
codice articolo del costruttore | MMBT2907ALT1G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT2907ALT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT2907ALT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT2907ALT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT2907ALT1G-FT |
MJE15033
ON Semiconductor
MJE15034
ON Semiconductor
MJE15035
ON Semiconductor
MJE18002
ON Semiconductor
MJE18002G
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ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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ON Semiconductor
AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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Intel
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel
EPF8452AQC160-4
Intel
EP4SGX180FF35I3
Intel