casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBTA06LT1G
codice articolo del costruttore | MMBTA06LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBTA06LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBTA06LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTA06LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBTA06LT1G-FT |
MJE15030
ON Semiconductor
MJE15031
ON Semiconductor
MJE15032
ON Semiconductor
MJE15033
ON Semiconductor
MJE15034
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MJE15035
ON Semiconductor
MJE18002
ON Semiconductor
MJE18002G
ON Semiconductor
MJE18004
ON Semiconductor
MJE18004D2
ON Semiconductor
XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CEFA7F27C6N
Intel
EP4CE6E22I8LN
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5CGXFC5F6M11C6N
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EP3SL110F1152C4LN
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5AGXBB3D4F35I5G
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