casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSS20101JT1G
codice articolo del costruttore | NSS20101JT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSS20101JT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSS20101JT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 350MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSS20101JT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSS20101JT1G-FT |
MMBT5401LT3
ON Semiconductor
MMBT6427LT3
ON Semiconductor
MMBT6427LT3G
ON Semiconductor
MMBT6429LT1
ON Semiconductor
MMBT6517LT1G
ON Semiconductor
MMBT6517LT3
ON Semiconductor
MMBT6517LT3G
ON Semiconductor
MMBT6520LT3
ON Semiconductor
MMBT6520LT3G
ON Semiconductor
MMBT6521LT1
ON Semiconductor
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V80-4FGG256I
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-PQ208I
Microsemi Corporation
APA600-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I2LN
Intel
XC2VP20-5FFG896I
Xilinx Inc.
EP3CLS70F780C8N
Intel
EPF6016QC208-3N
Intel
EP1SGX40GF1020C7
Intel