casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT6517LT3G
codice articolo del costruttore | MMBT6517LT3G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT6517LT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT6517LT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT6517LT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT6517LT3G-FT |
SMSD602-RT1G
ON Semiconductor
CPH3216-TL-E
ON Semiconductor
SMMBTA14LT3G
ON Semiconductor
SMMBTA42LT3G
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
ON Semiconductor
CPH3105-TL-E
ON Semiconductor
NSS12200LT1G
ON Semiconductor
SMMBT3906LT3G
ON Semiconductor
2SB815-7-TB-E
ON Semiconductor
CPH3116-TL-E
ON Semiconductor
A1010B-1VQ80I
Microsemi Corporation
EX128-PTQG100I
Microsemi Corporation
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
EP4CE75F23I8LN
Intel
EPF10K30AFC256-3
Intel
10CL006YE144C8G
Intel
XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation