casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT6427LT3
codice articolo del costruttore | MMBT6427LT3 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT6427LT3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT6427LT3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500µA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT6427LT3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT6427LT3-FT |
NSV1C201LT1G
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NSV40200LT1G
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SMMBT2222ALT1G
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Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256I
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A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-QN84
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LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I5N
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EPF10K50VBI356-4
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