casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NSR02L30NXT5G
codice articolo del costruttore | NSR02L30NXT5G |
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Numero di parte futuro | FT-NSR02L30NXT5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSR02L30NXT5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 7pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2-DSN (0.60x0.30) |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSR02L30NXT5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSR02L30NXT5G-FT |
NRVTS12100EMFST1G
ON Semiconductor
MBR560MFST1G
ON Semiconductor
MBR860MFST1G
ON Semiconductor
NRVB460MFST1G
ON Semiconductor
NRVB540MFST1G
ON Semiconductor
NRVB860MFST1G
ON Semiconductor
NRVB8H100MFST1G
ON Semiconductor
NRVTS10100EMFST1G
ON Semiconductor
NTS10100EMFST1G
ON Semiconductor
NTS12120EMFST1G
ON Semiconductor
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel