casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NSR02L30NXT5G
codice articolo del costruttore | NSR02L30NXT5G |
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Numero di parte futuro | FT-NSR02L30NXT5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSR02L30NXT5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 7pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2-DSN (0.60x0.30) |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSR02L30NXT5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSR02L30NXT5G-FT |
NRVTS12100EMFST1G
ON Semiconductor
MBR560MFST1G
ON Semiconductor
MBR860MFST1G
ON Semiconductor
NRVB460MFST1G
ON Semiconductor
NRVB540MFST1G
ON Semiconductor
NRVB860MFST1G
ON Semiconductor
NRVB8H100MFST1G
ON Semiconductor
NRVTS10100EMFST1G
ON Semiconductor
NTS10100EMFST1G
ON Semiconductor
NTS12120EMFST1G
ON Semiconductor
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel