casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NRVB860MFST1G
codice articolo del costruttore | NRVB860MFST1G |
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Numero di parte futuro | FT-NRVB860MFST1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NRVB860MFST1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVB860MFST1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NRVB860MFST1G-FT |
MUR210RL
ON Semiconductor
MUR220
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EP3C25U256C7
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5SGSMD5H2F35I2LN
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A1020B-PL44C
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LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation