casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NRVB460MFST1G
codice articolo del costruttore | NRVB460MFST1G |
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Numero di parte futuro | FT-NRVB460MFST1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NRVB460MFST1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 740mV @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVB460MFST1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NRVB460MFST1G-FT |
MUR2100E
ON Semiconductor
MUR2100ERL
ON Semiconductor
MUR210RL
ON Semiconductor
MUR220
ON Semiconductor
MUR220RL
ON Semiconductor
MUR240
ON Semiconductor
MUR240RL
ON Semiconductor
MUR260
ON Semiconductor
MUR260RL
ON Semiconductor
SB10-04A3-AT1
ON Semiconductor
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel