casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSCT817-40LT1G
codice articolo del costruttore | NSCT817-40LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSCT817-40LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSCT817-40LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSCT817-40LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSCT817-40LT1G-FT |
2SA1162GT1
ON Semiconductor
2SA1162YT1
ON Semiconductor
2SA1179N6-CPA-TB-E
ON Semiconductor
2SA1179N6-TB-E
ON Semiconductor
2SC2812N6-CPA-TB-E
ON Semiconductor
2SC2812N6-TB-E
ON Semiconductor
BC807-16LT3
ON Semiconductor
BC808-25LT1
ON Semiconductor
BC808-40LT1
ON Semiconductor
BC808-40LT1G
ON Semiconductor
LAXP2-5E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F484I4N
Intel
EP3C40F484C8
Intel
5SGXMA7K2F40I3N
Intel
5SGXEA5K2F35I2N
Intel
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E1SG
Intel
5AGXMA3D4F31C4G
Intel