casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1162GT1
codice articolo del costruttore | 2SA1162GT1 |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1162GT1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1162GT1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1162GT1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1162GT1-FT |
NSS30100LT1G
ON Semiconductor
NSVMMBTA05LT1G
ON Semiconductor
SMMBT5401LT1G
ON Semiconductor
SMMBTA06LT1G
ON Semiconductor
CPH3205-M-TL-E
ON Semiconductor
MMBT6427LT1G
ON Semiconductor
NSS40200LT1G
ON Semiconductor
NSV20201LT1G
ON Semiconductor
SBC848BLT1G
ON Semiconductor
SBCW30LT1G
ON Semiconductor
XC3S200-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE5UM-45F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
XA6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel