casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SC2812N6-TB-E
codice articolo del costruttore | 2SC2812N6-TB-E |
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Numero di parte futuro | FT-2SC2812N6-TB-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC2812N6-TB-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 1mA, 6V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC2812N6-TB-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC2812N6-TB-E-FT |
MMBT6427LT1G
ON Semiconductor
NSS40200LT1G
ON Semiconductor
NSV20201LT1G
ON Semiconductor
SBC848BLT1G
ON Semiconductor
SBCW30LT1G
ON Semiconductor
BC817-16LT3G
ON Semiconductor
BCW68GLT3G
ON Semiconductor
MMBT5087LT3G
ON Semiconductor
MMBT5401LT3G
ON Semiconductor
MMBTA56LT3G
ON Semiconductor
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F484C8N
Intel
EP2C50U484C7
Intel
10M02SCU169C8G
Intel
EP3SE80F1152I3N
Intel
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel
EPF10K50VQC240-1
Intel