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codice articolo del costruttore | NS12555T221MN |
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Numero di parte futuro | FT-NS12555T221MN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NS |
NS12555T221MN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 220µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.18A |
Corrente - Saturazione | 1A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 324 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 4.4MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.230" (5.85mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NS12555T221MN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NS12555T221MN-FT |
NRS2012T1R0NGJ
Taiyo Yuden
NR3012T4R7M
Taiyo Yuden
NR3012T100M
Taiyo Yuden
NR3012T2R2M
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NR3012T1R0N
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NR3012T470M
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NR3012T6R8M
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NR3012T150M
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NR3012T1R5N
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NR3012T220M
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LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
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Intel
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