casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / NR3012T220M
codice articolo del costruttore | NR3012T220M |
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Numero di parte futuro | FT-NR3012T220M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NR |
NR3012T220M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 22µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 420mA |
Corrente - Saturazione | 375mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 756 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 22MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 120°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3012T220M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NR3012T220M-FT |
NR6020T2R2N
Taiyo Yuden
NR6012T100ME
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EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel