casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / NR3012T470M
codice articolo del costruttore | NR3012T470M |
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Numero di parte futuro | FT-NR3012T470M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NR |
NR3012T470M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 280mA |
Corrente - Saturazione | 250mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.74 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 17MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 120°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NR3012T470M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NR3012T470M-FT |
NR6045T330M
Taiyo Yuden
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M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel