casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / NRVHP8H200MFDT1G
codice articolo del costruttore | NRVHP8H200MFDT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NRVHP8H200MFDT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ |
NRVHP8H200MFDT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVHP8H200MFDT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NRVHP8H200MFDT1G-FT |
MBRD620CTT4
ON Semiconductor
MBRD630CTT4
ON Semiconductor
MBRD640CT
ON Semiconductor
MBRD650CT1
ON Semiconductor
MBRD650CTT4
ON Semiconductor
MBRD660CTRL
ON Semiconductor
MBRD660CTT4
ON Semiconductor
MSRD620CT
ON Semiconductor
MURD610CTT4
ON Semiconductor
MURD620CT1
ON Semiconductor
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel