casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRD660CTRL
codice articolo del costruttore | MBRD660CTRL |
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Numero di parte futuro | FT-MBRD660CTRL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
MBRD660CTRL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD660CTRL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRD660CTRL-FT |
BAT54AWT1G
ON Semiconductor
SBAW56WT1G
ON Semiconductor
M1MA142WAT1G
ON Semiconductor
BAW56WT1G
ON Semiconductor
SM1MA142WAT1G
ON Semiconductor
SBAT54AWT1G
ON Semiconductor
NSVBAT54SWT1G
ON Semiconductor
NSVM1MA141WAT1G
ON Semiconductor
NSVMMBD352WT1G
ON Semiconductor
SBAT54CWT1G
ON Semiconductor
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel