casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRD640CT
codice articolo del costruttore | MBRD640CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBRD640CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
MBRD640CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 40V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD640CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRD640CT-FT |
NSVMMBD717LT1G
ON Semiconductor
M1MA142WKT1G
ON Semiconductor
SBAV99WT1G
ON Semiconductor
BAT54AWT1G
ON Semiconductor
SBAW56WT1G
ON Semiconductor
M1MA142WAT1G
ON Semiconductor
BAW56WT1G
ON Semiconductor
SM1MA142WAT1G
ON Semiconductor
SBAT54AWT1G
ON Semiconductor
NSVBAT54SWT1G
ON Semiconductor
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel