casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RDD022N60TL
codice articolo del costruttore | RDD022N60TL |
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Numero di parte futuro | FT-RDD022N60TL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RDD022N60TL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.7V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 20W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CPT3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RDD022N60TL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RDD022N60TL-FT |
RW1C020UNT2R
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