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Rohm Semiconductor RCD075N19TL

Numero parte MFG
RCD075N19TL
quantità disponibile
21880 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.3136
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Data di spedizione
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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RCD075N19TL specificazioni

codice articolo del costruttore RCD075N19TL
Numero di parte futuro FT-RCD075N19TL
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RCD075N19TL Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 190V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 336 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 850mW (Ta), 20W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore CPT3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RCD075N19TL Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RCD075N19TL-FT

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