casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NP60N055NUK-S18-AY
codice articolo del costruttore | NP60N055NUK-S18-AY |
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Numero di parte futuro | FT-NP60N055NUK-S18-AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP60N055NUK-S18-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3750pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 105W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP60N055NUK-S18-AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NP60N055NUK-S18-AY-FT |
JANTXV2N6788U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6790
Microsemi Corporation
JANTXV2N6790U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6796
Microsemi Corporation
JANTXV2N6796U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6798
Microsemi Corporation
JANTXV2N6798U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6800
Microsemi Corporation
JANTXV2N6800U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6802
Microsemi Corporation
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel