casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NP60N055NUK-S18-AY
codice articolo del costruttore | NP60N055NUK-S18-AY |
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Numero di parte futuro | FT-NP60N055NUK-S18-AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP60N055NUK-S18-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3750pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 105W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP60N055NUK-S18-AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NP60N055NUK-S18-AY-FT |
JANTXV2N6788U
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JANTXV2N6790
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