casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / JANTXV2N6800U

| codice articolo del costruttore | JANTXV2N6800U |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N6800U |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Military, MIL-PRF-19500/557 |
| JANTXV2N6800U Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.75nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Pacchetto / caso | 18-CLCC |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| JANTXV2N6800U Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | JANTXV2N6800U-FT |

JAN2N6788U
Microsemi Corporation

JAN2N6790
Microsemi Corporation

JAN2N6790U
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JAN2N6796
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JAN2N6796U
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JAN2N6798
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JAN2N6798U
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JAN2N6800
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JAN2N6800U
Microsemi Corporation

JAN2N6802
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A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation

M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation

APA600-FG676I
Microsemi Corporation

5SGSMD6K1F40C2LN
Intel

EP4SE360H29I3
Intel

5SGXEA7N3F45C2LN
Intel

LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP2AGX45DF29I3
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EPF10K10LC84-4N
Intel

EP4SGX360HF35I4
Intel