casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / JANTXV2N6800U
codice articolo del costruttore | JANTXV2N6800U |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N6800U |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/557 |
JANTXV2N6800U Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.75nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 18-ULCC (9.14x7.49) |
Pacchetto / caso | 18-CLCC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6800U Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N6800U-FT |
JAN2N6788U
Microsemi Corporation
JAN2N6790
Microsemi Corporation
JAN2N6790U
Microsemi Corporation
JAN2N6796
Microsemi Corporation
JAN2N6796U
Microsemi Corporation
JAN2N6798
Microsemi Corporation
JAN2N6798U
Microsemi Corporation
JAN2N6800
Microsemi Corporation
JAN2N6800U
Microsemi Corporation
JAN2N6802
Microsemi Corporation
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel