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JANTXV2N6800 Image

Microsemi Corporation JANTXV2N6800

Numero parte MFG
JANTXV2N6800
quantità disponibile
84850 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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Data di spedizione
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
Military, MIL-PRF-19500/557 MOSFET N-CH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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JANTXV2N6800 specificazioni

codice articolo del costruttore JANTXV2N6800
Numero di parte futuro FT-JANTXV2N6800
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Military, MIL-PRF-19500/557
JANTXV2N6800 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34.75nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta), 25W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-205AF (TO-39)
Pacchetto / caso TO-205AF Metal Can
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
JANTXV2N6800 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio JANTXV2N6800-FT

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